본 발명은 질화물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로서, 질화물 반도체 단위 소자들을 상호간에 분리시키는 소정의 트렌치에 크랙방지벽을 형성해 그 트렌치에 존재하는 보이드를 제거시킴으로써, 레이저 리프트 오프 공정시 소자에 발생할 수 있는 크랙(crack)이나 손상(damage)을 최소한으로 줄이도록 하며, 특히 전술한 크랙방지벽을 소정의 전도성 금속으로 형성함으로써 캐리어 기판과의 접합시 본딩부재와의 반응이 용이하도록 하여 캐리어 기판과 강한 접착력을 유지할 수 있도록 하며, 더불어 기존의 에폭시가 사용된 소정의 접합법에서 프리 스탠딩을 위하여 또 한번의 금속전극 접합이 필요했던 것과는 달리 본 발명에서는 이러한 공정의 생략이 가능하여 이를 통해 소자의 공정효율을 향상시킨다. 질화물, 크랙, 방지, 금속, 트렌치, 보이드