발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 발광소자는 기판; 상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층; 상기 p형 반도체층 상에 형성된 p형 전극; 상기 n형 반도체층 내부에 형성된 n형 전극; 및 상기 n형 전극과 접하고, 상기 n형 반도체층의 노출된 면에 배치되는 n형 패드를 포함하고, 상기 n형 전극 하부의 n형 반도체층의 두께는 1㎛ 내지 5㎛인 발광소자를 포함한다. 따라서, n형 반도체층 내부에 n형 전극을 형성함으로써, 발광되는 표면적을 늘리고, n형 전극의 위치 및 크기를 조절하여 전류 스프레딩과 전류 주입 효과를 향상시켜 발광소자의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, n형 전극의 폭을 얇게 설계하고, n형 반도체층의 오목부에 매립하여 형성함으로써, n형 반도체층의 재성장 공정에서 발생할 수 있는 결함 또는 보이드 영역을 감소시킬 수 있다.