본 발명은 단일벽탄소나노튜브 및 이의 제조방법, 그리고 이를 이용한 자외선 발광다이오드에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 P형 질화물계 반도체와 오믹(ohmic)접촉이 가능하며 광투과도의 감소가 적은 본 발명은 단일벽탄소나노튜브 및 이의 제조방법, 그리고 이를 이용한 자외선 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명의 단일벽탄소나노튜브 특히, 자외선 발광다이오드의 투명전극용 단일벽탄소나노튜브의 제조방법에 의하면, P형 질화물계 반도체와 오믹(ohmic)접촉이 가능하며 광투과도의 감소가 적은 자외선 발광다이오드의 투명전극용 단일벽탄소나노튜브를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조방법에 의하면 붕소계열의 환원제를 사용하함으로써 도금 조절이 용이할뿐만 아니라 니켈이 고르게 도금되는 효과가 있으며, 급속 열처리를 수행하여 니켈 또는 니켈합금으로 피막화할 수 있다. 또한, 본 발명의 자외선 발광다이오드는 P형 질화물계 반도체와 오믹(ohmic)접촉이 가능하며 광투과도의 감소가 적어 높은 효율의 증대를 이룰 수 있다.