발광 다이오드 및 이의 제조방법이 제공된다. 구체적으로, 상기 발광 다이오드는 기판 상에 배치된 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층 상에 위치하며, InGaN박막 및 GaN박막이 차례로 적층된 박막 쌍(pair)이 복수개가 배치된 구조의 경사형 초격자 박막층 및 상기 경사형 초격자 박막층 상에 배치된 양자우물 구조의 활성층 및 상기 활성층 상에 배치된 p형 반도체층을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 InGaN박막은 상기 활성층에 가까울수록 상기 InGaN박막에 포함된 인듐(In)의 조성비가 증가하는 것일 수 있다. 이에, 본 발명의 발광 다이오드는 활성층 하부에 경사형 초격자 박막층을 배치함으로써, 내부 잔류 응력을 완화시킬 수 있고, 캐리어어 구속효과를 강화시켜 내부 양자효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 별도의 공정 및 장치의 추가 없이, 온도 조절 및 수소 공급을 통해 용이하게 경사형 초격자 박막층을 형성할 수 있어, 고효율 발광다이오드의 제조공정 효율이 향상될 수 있다.