본 발명은 결함이 제어된 SnS계 박막태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 광흡수층 상에 형성된 ZnS 보호층을 CdSO 4 습식 처리를 통해 상기 광흡수층의 결함을 제어하여 전류밀도와 충진율을 향상시켜 태양전지의 전기적 특성과 광학적 특성을 향상시키고 궁극적으로 태양전지의 변환효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.