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절연 게이트 양극성 트랜지스터
구분
특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2017-06-12
취득구분 등록
기술분류 전기/전자
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-1748141
출원(등록)번호 10-2015-0023986
출원형태
발명자수 1
DOI 값
주요내용
본 발명은 전력 반도체 소자에 있어서, 이미터 전극과 컬렉터 전극 사이에 인슐레이터가 형성된 구조를 갖는다. 본 발명에 따르면, 드리프트 영역에 형성된 인슐레이터가 전기장의 균일도를 향상시킴으로써 전압 안정성과 열적 내성이 향상되는 이점이 있다.
발명자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 이명진 | 전남대학교 지능전자컴퓨터공학과 |