본 발명은 진공 채널 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 산화막, 산화막의 상부에 상호 이격되게 대향하고 상호 근접할수록 수평 및 수직 방향으로 뾰족하게 형성된 첨단을 포함하는 소스 및 드레인 및 소스 및 드레인 사이에서 교차되는 방향으로 형성된 제1 및 제2 게이트들을 포함할 수 있다.