본 발명은 로우 해머 효과가 개선된 매립형 채널 어레이 트랜지스터에 관한 것으로서, 실리콘 기판(100); 상기 실리콘 기판(100) 상에 소정 거리 이격된 상태로 각각 매립되는 제1 게이트(110) 및 제2 게이트(120); 상기 제1 게이트(110)의 일측에 인접한 실리콘 기판(100) 부분이 도핑되어 형성된 제1 도핑 영역(160); 상기 제1 게이트(110)의 타측과 상기 제2 게이트(120)의 일측 사이의 실리콘 기판(100) 부분이 도핑되어 형성되는 제2 도핑 영역(170); 상기 제2 게이트(120)의 타측에 인접한 실리콘 기판(100) 부분이 도핑되어 형성된 제3 도핑 영역(150); 및 상기 제1 도핑 영역(160) 또는 상기 제3 도핑 영역(150)에 매립된 절연체(180)를 포함하는 것을 특징으로 한다.