본 발명은 드레인(130)과 소스(140)가 소정 영역에 각각 형성된 실리콘 기판(100) 및 상기 드레인(130) 영역과 상기 소스(140) 영역 사이에서 상기 실리콘 기판(100) 내에 매립된 게이트(110)를 포함하는 매립형 채널 어레이 트랜지스터에 관한 것으로서, 상기 게이트(110)의 상면은 상기 실리콘 기판(100)의 상면보다 아래에 위치하도록 매립되되, 상기 드레인(130) 영역 또는 상기 소스 영역(140)에는 절연체(150)가 매립되는 것을 특징으로 한다. 더 나아가, 상기 실리콘 기판(100)의 상면으로부터 상기 실리콘 기판(100) 내에 매립된 상기 절연체(150)의 상면까지의 거리(x)를, 상기 실리콘 기판(100)의 상면으로부터 상기 실리콘 기판(100) 내에 매립된 상기 게이트(110)의 상면까지의 거리(y)로 나눈 α 값(x/y)은 0.6 이상 1.0 이하인 것을 특징으로 한다.