반도체 기판에 활성영역을 설정하는 소자분리 트렌치(trench)를 형성하고, 트렌치의 측벽 및 바닥을 열 산화하여 열 산화물층을 형성한다. 열 산화물층 상에 테오스(TEOS)층을 증착하고, 테오스층 상에 실리콘질화물층 및 실리콘산화물층을 순차적으로 증착하여, 이들 4층을 포함하는 라이너(liner)층을 형성한다. 라이너층 상에 트렌치를 채우는 소자분리층을 형성하는 반도체 소자 형성 방법을 제시한다.