반도체 기판에 활성 영역을 설정하는 소자분리층을 형성하고, 반도체 기판 상에 실리콘질화물의 버퍼(buffer)층을 형성한 후, 마스크(mask)를 형성한다. 마스크를 식각 마스크로 이용하여 소자분리층 부분을 식각하여 활성 영역의 측면을 노출하는 핀 리세스(fin recess)부를 형성하고, 식각 마스크를 제거하여 잔류하는 버퍼층 부분을 노출한다. 노출된 버퍼층 부분 및 활성 영역 부분을 산화시켜, 활성 영역 부분의 산화에 의한 제1게이트 유전층 및 버퍼층의 산화에 의한 실리콘산질화물의 제2게이트 유전층을 형성하고, 핀 리세스부를 채우고 제1 및 제2게이트 유전층을 덮는 게이트층을 형성하는 핀형 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 제조방법을 제시한다.