특성이 다른 트랜지스터, 구체적으로는 동특성(온 특성이나 주파수 특성(f 특성이라 불린다))이 뛰어난 트랜지스터와, 오프 전류가 억제된 트랜지스터를 동일 기판 상에 갖는 반도체 장치를 제공하는 것을 하나의 과제로 한다. 또한, 이 반도체 장치를 간편한 방법으로 제작하는 방법을 제공하는 것을 하나의 과제로 한다. 진성 또는 실질적으로 진성이며, 표면에 결정 영역을 포함하는 산화물 반도체층을 트랜지스터에 이용한다. 진성 또는 실질적으로 진성인 반도체는 산화물 반도체 내에서 전자 공여체(도너)가 되는 불순물을 제거하고, 실리콘 반도체보다 에너지 갭이 큰 것을 이용한다. 그 산화물 반도체층의 상하에 절연막을 사이에 두고 배치한 한 쌍의 도전막의 전위를 제어하고, 그 산화물 반도체층에 형성하는 채널의 위치를 변경함으로써 트랜지스터의 전기 특성을 제어할 수 있다.