본 발명은 타이타늄 또는 타이타늄 합금을 포함하는 기재에 질소(N 2 ) 가스를 공급하여 질화 표면을 형성하는 단계; 및 상기 질화 표면이 형성된 기재에 인산(H 3 PO 4 ) 및 불산(HF) 중 적어도 하나를 포함하는 전해액 상에서 양극 산화시켜 다공층을 형성하는 단계를 포함하는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법에 관한 것이다.