본 발명의 EUV용 포토레지스트 조성물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 포토 레지스트 패턴 형성은 방법전이금속 및 상기 전이금속과 결합된 N-헤테로고리 카빈 리간드를 함유하는 전이금속 착물을 포함하는 EUV용 포토레지스트 조성물을 사용함에 따라 EUV 흡광도 및 반응성이 우수하고, 정밀한 미세패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다.