본 발명은 리튬 금속 음극, 상기 리튬 금속 음극 상에 위치하여 리튬 금속 음극의 손상을 막는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상에 위치하여 리튬 금속 음극의 수지상 성장을 억제하는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 리튬 금속 음극을 제공한다. 또한, 본 발명은 리튬 금속 음극 상에 리튬 금속 음극의 손상을 막는 버퍼층을 형성하는 단계 및 상기 버퍼층 상에 리튬 금속 음극의 수지상 성장을 억제하는 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 리튬 금속 음극 제조방법을 제공한다.