본 발명은 광전자 소자의 광안정성을 향상시키기 위한 신규 화합물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 신규 페난스롤린계 화합물, 이의 제조방법 및 이를 패시베이션층으로 포함하는 광전자 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 화학식 1의 신규 페난스롤린계 화합물은 페난스롤린 모핵에 아민기 사이드 체인을 도입시킨 새로운 화합물로서, 극성 용매에 용해성이 우수하여 용액공정이 가능하므로, 유연 기판에도 적용이 가능하며, 단순히 n-형 반도체 유기층(예컨대 유기 광활성층 또는 전자전달층) 상에 패시베이션층으로서 도입함으로써 안정성 증대 뿐만 아니라, 개방전압이나 광전류의 증가 등과 같은 효율의 추가적인 증대를 가져올 수 있다.