Loading...
다중 정전용량 메모리 특성을 갖는 멤커패시터 및 그 제조 방법
구분
특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2023-11-08
취득구분 등록
기술분류 기타
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-2021-0168144
출원(등록)번호 10-2021-0168144
출원형태
발명자수 1
DOI 값
주요내용
멤커패시터의 제조 방법이 제공된다. 상기 멤커패시터의 제조 방법은, 스트론튬 티탄산염(SrTiO 3 )을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에, 펄스드 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD)을 통해 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuO 3 )을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에, 펄스트 레이저 증착법을 통해 비스무스 페라이트(BiFeO 3 )를 포함하는 강유전층을 형성하는 단계, 및 상기 강유전층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 전극은 상기 기판으로부터 에피택셜 성장(epitaxial growth)되고, 상기 강유전층은 상기 제1 전극으로부터 에피택셜 성장되는 것을 포함할 수 있다.
발명자 정보
| 이름 | 소속 | |
|---|---|---|
| 등록된 데이터가 없습니다. | ||