유기전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 메모리 장치에 있어서, 유기물 반도체층 및 게이트 절연층을 포함하며, 상기 유기물 반도체층 및 게이트 절연층 사이에는 고분자 전하 저장층과 나노 입자 플로팅 게이트층의 이중층을 더 포함하는 비휘발성 유기 메모리 장치 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면, 신뢰성이 높고, 데이터 소거 및 저장 능력이 탁월하며, 고집적도의 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있으며, 유연한 기판에 소자를 형성함으로써 경량화, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.