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광다이오드형 무전원 가스센서 및 이의 제조방법

구분 특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2021-03-10
취득구분 등록
기술분류 물리학
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-2019-0066568
출원(등록)번호 10-2019-0066568
출원형태
발명자수 1
DOI 값
주요내용
특허 이미지

본 발명은 광다이오드형 무전원 가스센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 광다이오드형 가스센서는 pn 접합층 사이에 광전자 수거 전극이 일정 간격으로 형성되어 있어, 광 입사시 pn 접합층에서 광전자가 생성되어 광전자 수거 전극으로 이동함으로써 광전류를 측정할 수 있고, 이로 인해 전원이 필요하지 않으며, 가스 흡착에 따라 광전류가 변화하므로, 광전류의 변화를 통해서 가스 감지가 가능하다.

발명자 정보

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