본 발명의 일실시예는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체를 준비하는 단계, 상기 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체를 카본류 전도성 물질, 고분자 물질 및 결합제와 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계 및 상기 제조된 슬러리를 전류집전체 상에 코팅 후 열처리하는 단계를 포함하는 보론이 도핑된 실리콘 나노구조체 음극 제조방법을 제공한다.