본 발명의 일실시예는 자외선 광 트랜지스터 제조방법을 제공한다. 상기 자외선 광 트랜지스터 제조방법은 자외선 흡수 역할을 수행하는 감광층 및 전자수송층을 포함하는 이중층을 구비한 자외선 광 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. 이때, 상기 감광층은 금속산화물 나노입자 또는 나노로드를 형성함으로써 표면 거칠기를 증가시켜 체적 대비 표면적을 증가시킴에 따라 광응답 특성이 향상된 것을 특징으로 한다.