본 발명의 일 측면은, 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되며 In x Ga (1-x) N(0 ≤ x 003c# y)으로 이루어지는 양자장벽층과 In y Ga (1-y) N(0 003c# y ≤ 1)으로 이루어지는 양자우물층이 적어도 1회 교대로 배치된 활성층 및 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 반도체층을 포함하며, 상기 양자장벽층은 상기 제1 도전형 반도체층에 가까운 순서로 배치된 제1 및 제2 그레이드층을 포함하고, 상기 제1 그레이드층은 제2 도전형 반도체층이 배치된 방향으로 갈수록 In의 함량이 증가하고, 상기 제2 그레이드층은 제2 도전형 반도체층이 배치된 방향으로 갈수록 In의 함량이 감소하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다. 본 실시형태에 따르면, 광 효율이 향상된 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.