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반도체 발광소자 및 그 제조 방법
구분
특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2019-07-18
취득구분 등록
기술분류 전기/전자
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-2012-0053529
출원(등록)번호 10-2012-0053529
출원형태
발명자수 2
DOI 값
주요내용
본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 및 상기 발광구조물 상에 형성되며, 광 투과성을 갖는 투광성 박막층 및 상기 투광성 박막층 상에 형성되는 복수의 나노 로드를 포함하는 나노 로드층을 구비하는 광 추출층; 을 포함하고, 상기 광 추출층은 PDMS(Polydimethyl siloxane), PDMS에 ZrO 2 나노파티클을 첨가한 화합물, PGMA(poly(glycidyl methacrylate))에 TiO 2 나노 파티클을 첨가한 화합물, PMMA(Polymethyl Methacrylate)에 BaTiO3 나노 파티클을 첨가한 화합물, 에폭시에 금속화합물을 첨가한 화합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 반도체 발광소자를 제공한다.
발명자 정보
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