본 발명은 하부투명전극, 상기 하부투명전극 상에 형성된 발광층, 상기 발광층 상에 형성된 하부 마그네슘아연 산화물층, 상기 하부 마그네슘아연 산화물층 위에 형성된 금속층 및 하부 마그네슘아연 산화물층보다 높은 마그네슘 함량을 갖는 상부 마그네슘아연 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 발광층의 플라즈마 손상을 방지하기 위해 하부 마그네슘아연 산화물층은 졸-겔(sol-gel) 방식으로 형성될 수 있다. 하부 마그네슘아연 산화물층의 표면은 저에너지 이온빔 표면 처리를 통하여 끊어진 결합(dangling bond)을 가져 후속 공정에 의한 발광층의 손상을 최소화 할 수 있다. 상부 마그네슘아연 산화물층은 하부 마그네슘아연 산화물층보다 높은 마그네슘 함량을 가짐으로써, 하부 마그네슘아연 산화물층보다 작은 일함수와 굴절률을 갖는다. 따라서 투명발광다이오드는 일함수 차이에 의한 전자전달 효율 향상과, 투명전극의 상부/하부 굴절률 차이에 의한 반사방지 효과로 광추출 효율이 향상된다.