본 발명은 3차원 전자소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 순차적 및 선택적 가소화를 위한 내재형 미세유체채널이 포함된 3차원 전자소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 고분자 기판에 내재된 미세유체채널을 통해 가소화제의 투입량 및 경로를 순차적 및 선택적으로 조절하여 가소화 공정을 수행함으로써 고분자 프레임의 영률을 일시적으로 변화시켜 정밀한 형태 변형이 가능하고, 가소화 된 상기 고분자 프레임을 변형 시키면 상기 고분자 프레임이 물리적 완화층(mechanical buffer layer)으로 작용하여 변형 시 소자에 가해지는 스트레스를 흡수하여 변형시 상기 소자를 보호하므로, 상기 소자의 전도도 하락을 방지하고 전기적 특성을 유지할 수 있다.