산화아연 나노구조체의 제조방법이 제공된다. 상세하게는, 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법에 관한 것으로, 산화아연 씨드층이 형성된 기판을 준비하는 단계, 하부 액상마스크층, 수열합성용 전구용액층, 및 상부 액상마스크층이 순차적으로 구비된 반응기 내에 상기 기판을 배치하는 단계, 및 상기 수열합성용 전구용액층에 열을 가하여 수열합성 반응을 통해 상기 기판 상에 패턴화된 산화아연 나노구조체를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이에, 본 발명은 상/하부 액상마스크층 및 수열합성용 전구용액층의 유동성에 의해 평면 기판 또는 비평면 기판 등의 기판의 표면형태에 관계 없이, 산화아연 나노구조체를 고르게 형성할 수 있다. 또한, 기판의 배치상태 또는 수열합성용 전구용액층의 높이를 조절하여 산화아연 나노구조체의 성장 및 패터닝을 용이하게 제어할 수 있다. 아울러, 상부 액상마스크층에 의해 수열합성용 전구용액층과 외부환경의 접촉을 효과적으로 차단하고 상기 수열합성용 전구용액층의 pH 및 부피를 안정적으로 유지시킬 수 있다.