본 발명은 다중 양자 우물 구조의 활성층을 구비한 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 기판상에 버퍼층, n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차 적층된 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 활성층은 복수개의 장벽층과 복수개의 우물층이 교대로 배열된 다중 양자 우물(Multi Quantum Well) 구조를 가지며, 상기 복수개의 장벽층 중 적어도 1개 층은 p형 도펀트가 도핑된 p형 도핑 장벽층과 상기 p형 GaN층의 적어도 일측에 언도프된 장벽층을 갖는 제1 장벽층을 구비한다. MQW, 질화물, Mg 도핑, Si 도핑