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반도체 발광소자
구분
특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2014-07-31
취득구분 등록
기술분류 전기/전자
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-2008-0071298
출원(등록)번호 10-2008-0071298
출원형태
발명자수 2
DOI 값
주요내용
작동 중 발생하는 열 방출이 용이하고, 전류분산효율이 높으며, 반도체층 성장 시의 전위를 차단하여 결함이 감소된 신뢰성이 향상된 반도체 발광소자가 제안된다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 기판, n형 반도체층, 활성층, 및 p형 반도체층이 순차 적층된 발광구조물, 및 n형 반도체층 및 p형 반도체층 상에 각각 형성된 n형 전극 및 p형 전극을 포함하는 반도체 발광소자로서, n형 반도체층 내에 형성되고, n형 전극과 접촉하는 금속층을 포함한다. 금속층, 방열효과, 전류분산, 전위차단
발명자 정보
| 이름 | 소속 | |
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