스위칭 소자인 문턱 스위칭층을 가지는 저항 변화 메모리 및 이의 제조방법이 개시된다. 저항 변화 메모리는 화학양론적인 구성을 가지는 문턱 스위칭과 상부 전극의 산화에 의해 형성된 저항 변화층을 가진다. 양 전극 사이에 형성된 비화학양론적인 상변화층의 개질을 통해 문턱 스위칭층이 형성되고, 상변화층의 개질은 산소 이온의 이탈에 이해 발생된다. 따라서, 상변화층의 개질에 의해 화학양론적인 구성을 가지는 문턱 스위칭층이 형성되며, 산소 이온의 이동에 의해 상부 전극에는 산화 반응이 발생되며, 산화 반응에 의해 상부 전극의 표면 상에는 저항 변화층이 형성된다.