저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 저항 변화 메모리 소자는 단열히터층의 역할을 하는 칼코게나이드 화합물층을 저항 변화층의 상부에 도입함에 의해 발생하는 열전효과(thermoelectric effect)를 이용함으로써 생성되는 추가적인 열이 확산성 이온의 이동속도를 증가시켜 저항 변화층의 계면에서 일어나는 산화/환원 반응을 촉진시키고, 이로 인해 빠른 스위칭 속도 및 낮은 에너지 소비량을 가진다. 또한, 본 발명에 의한 저항 변화 메모리 소자의 제조방법은 단열히터층의 역할을 하는 칼코게나이드 화합물층과 또 다른 단열층인 이온 공급층을 저항 변화층의 상하부에 형성하여 메모리 소자 내부에서 발생하는 줄-가열(Joule-heating)에 의해 발생된 열의 손실을 최소화하는 열차단효과(thermal barrier effect)를 이용함으로써 생성되는 추가적인 열이 확산성 이온의 이동속도를 증가시켜 저항 변화층의 계면에서 일어나는 산화/환원 반응을 촉진시키고, 이로 인해 빠른 스위칭 속도 및 낮은 에너지 소비량을 가지는 메모리 소자를 제조할 수 있다.