저항 변화 메모리 소자 및 저항 변화 메모리 소자 크로스 포인트 어레이를 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 하부 전극과 상부 전극을 구비한다. 상기 하부 및 상부 전극들 사이에 노드가 배치된다. 상기 하부 전극과 상기 노드에 각각 접속된 양단들을 갖는 하부 가변저항체가 제공된다. 상기 노드와 상기 상부 전극에 각각 접속된 양단들을 갖는 상부 가변저항체가 제공된다. 상기 가변저항체들 중 어느 하나는 상기 상부전극과 상기 하부 전극 사이의 제1 양의 전계에서 저저항 상태로 셋되고 상기 상부전극과 상기 하부 전극 사이의 제1 음의 전계에서 고저항상태로 리셋되고, 나머지 하나는 상기 상부전극과 상기 하부 전극 사이의 제2 음의 전계에서 저저항상태로 셋되고 상기 상부전극과 상기 하부 전극 사이의 제2 양의 전계에서 고저항상태로 리셋된다. 이러한 저항 변화 메모리 소자는 크로스 포인트 어레이를 구현하는 경우에, 선택 소자를 형성하지 않더라도 셀간 간섭없이 데이터를 프로그래밍할 수 있고 또한 셀간 간섭없이 프로그래밍된 데이터를 읽어낼 수 있다.