3차원 저항 변화 메모리 소자, 이를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 어레이 및 전자제품을 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 기판 상에 일 방향으로 배치된 제1 비트라인을 구비한다. 상기 제1 비트라인 상에 상기 제1 비트라인에 교차하는 워드라인이 위치한다. 상기 한 쌍의 제1 비트라인과 워드라인 사이에 하부 크로스포인트 가변저항체가 위치한다. 상기 비트라인과 상기 워드라인의 측벽을 노출시키는 콘택홀 내에 도전성 필라가 위치한다. 상기 콘택홀 내에 상기 도전성 필라를 둘러싸는 사이드월 가변저항물질막이 위치한다.