본 발명은 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 저항변화메모리에 관한 것으로서, 기판형성단계; 상기 기판상에 메탈을 증착시켜 하부전극을 형성시키는 하부전극형성단계; 상기 하부전극의 상부에 페로브스카이트 구조의 산화물을 증착시켜 산화물층을 형성시키는 산화물층 형성단계; 상기 산화물층을 1메가파스칼(MPa) 내지 50기가파스칼(GPa)의 압력 및 200℃ 내지 500℃의 온도하에서 30분 내지 24시간동안 열처리하여 결정화시키는 결정화단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하며, 상기 기판형성단계는, 실리콘(Si) 기판상에 이산화규소(SiO 2 )를 증착시켜 이산화규소층을 형성하는 이산화규소층 형성단계; 상기 이산화규소층 상부에 티타늄(Ti)을 증착시키는 티타늄층 형성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, Pt/PCMO 등을 순서대로 증착시킨 후에, PCMO 등을 저온고압의 조건에서 열처리하여, 결정화시킴으로써, 종래에 고온열처리함으로써 생기는 CMOS 호환성문제를 해결하면서도, 저온에서 결정화를 달성하여 저항스위칭특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.