비휘발성 저항 변화 메모리 소자가 제공된다. 상기 비휘발성 메모리 소자는 제1 전극, 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 산화물막 및 상기 산화물막과 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 300K를 기준으로 산화물 형성 반응시 깁스자유에너지 차가 0 kJ 미만인 금속을 함유하는 반응성 금속막을 포함한다. 저항 변화 메모리 소자, 반응성 금속막