비휘발성 저항 변화 메모리 소자를 제공한다. 상기 소자는 제1 전극과 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 산화물막이 위치한다. 상기 산화물막과 상기 제2 전극 사이에 반응성 금속막이 위치하되, 상기 반응성 금속막은 300K를 기준으로 산화물 형성 반응시 표준자유에너지 변화량이 -100 kJ 이하인 금속을 함유하며 2 내지 15㎚의 두께를 갖는다.