본 발명은 보다 상세하게는 희생층 상의 나노 와이어를 이용하여 반도체층을 성장시킨 후 희생층 식각을 통하여 기판을 제거한 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 발광 다이오드의 제조 방법은 기판 상에 희생층을 형성하는 단계와; 상기 희생층 상에 나노 와이어를 성장시키는 단계와; 상기 나노 와이어 상에 제 1 반도체층을 성장시키고, 상기 제 1 반도체층 상에 활성층 및 제 2 반도체층을 순차적으로 적층하여 발광 구조체를 형성하는 단계와; 상기 희생층을 제거하여 기판을 발광 구조체와 분리하는 단계를 포함하며, 이에 따라, 상기 발광 구조체의 손상 없이 상기 기판을 용이하게 분리할 수 있다.