비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 비휘발성 저항 변화 메모리 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 전도성 나노 입자, 상기 전도성 나노 입자 상에 위치하는 저항 변화 물질막 및 상기 저항 변화 물질막 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다. 또한, 상기 비휘발성 저항변화 메모리소자 제조방법은 제1 전극 상에 전도성 나노 입자 함유 단백질 결정층을 형성하는 단계, 상기 전도성 나노 입자 함유 단백질 결정층의 단백질을 제거하여 상기 제1 전극 상에 전도성 나노 입자를 형성하는 단계, 상기 전도성 나노 입자 상에 저항 변화 물질막을 형성하는 단계 및 상기 저항 변화 물질막 상에 제2 전극을 배치시키는 단계를 포함한다. 비휘발성 메모리, 저항변화 메모리, 전도성 나노 입자