본 발명은 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리에 관한 것으로서, 기판상에 PCMO(Pr 1-X Ca X MnO 3 ), LCMO(La 1-X Ca X MnO 3 ), LSMO(La 1-x Sr x MnO 3 ) 중 적어도 하나를 증착하여 p형 산화물층을 형성시키는 p형 산화물층 형성단계; 상기 p형 산화물층 상부에 n형 반응성메탈을 증착하여 n형 메탈층을 형성시키는 n형 메탈층 형성단계; 상기 p형 산화물층과 상기 n형 반응성메탈과 반응하여 쇼트키장벽(Schottky barrier)을 형성하는 쇼트키장벽 형성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, PCMO 등을 증착시킨 p형 산화물층과 n형 반응성메탈을 증착시킨 n형 메탈층간의 산화환원반응을 통해 쇼트키장벽이 자가형성됨으로써, 트랜지스터나 다이오드를 형성하는 공정없이 크로스포인트 구조를 갖는 저항변화메모리를 제조할 수 있으며, 별도의 다이오드나 트랜지스터의 부가공정이 필요하지 않아, 경제성이 높고, 제조수율이 향상되는 장점이 있다.