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선택소자 및 3차원 구조 저항 변화 메모리 소자를 갖는 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 소자 어레이 제조방법
구분
특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2011-11-24
취득구분 등록
기술분류 전기/전자
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-2009-0035445
출원(등록)번호 10-2009-0035445
출원형태
발명자수 1
DOI 값
주요내용
선택소자 및 3차원 구조 저항 변화 메모리 소자를 갖는 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 상기 소자 제조방법을 제공한다. 상기 소자 어레이는 기판 상에 서로 평행하게 배열된 복수개의 제1 방향 데이터선들을 구비한다. 상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 복수개의 도전성 필라들(conductive pillars)이 일렬로 위치한다. 상기 각 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 데이터선의 측벽 사이에 저항변화물질막이 위치한다. 상기 도전성 필라들에 선택 소자들이 각각 전기적으로 연결된다.
발명자 정보
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