게이트 구조물 내에 가변 저항체가 도입된 저항변화 메모리 및 이의 동작 방법이 개시된다. 가변 저항체를 가지는 게이트 구조물에 저항제어전압을 인가하여 게이트 구조물을 고저항 상태 또는 저저항 상태로 형성한다. 고저항 상태인 경우, 채널 영역 상단에 형성된 게이트 산화막에 인가되는 전압은 문턱 전압 미만으로 설정되어 메모리를 턴오프시킨다. 또한, 저저항 상태인 경우, 게이트 산화막에 인가되는 전압은 문턱 전압 이상으로 설정되어 메모리를 턴온시킨다. 따라서, 게이트 구조물의 저항 상태의 조절을 통해 동일한 읽기 전압의 인가에 따라, 메모리의 온/오프 상태를 확인할 수 있다. 저항변화 메모리, ReRAM, 게이트