스위칭 재현성 및 균일성이 향상된 저항변화 메모리 소자, 저항변화 메모리 소자의 포밍방법이 개시되어 있다. 저항변화 메모리 소자는 기판 상에 위치한 제1 전극, 제1 전극 상에 위치한 이온을 함유하는 고체전해질 저항 변화막 및 고체전해질 저항 변화막 상에 위치하며, 제1 전극과 상기 이온에 대한 화학적 친화력이 다른 제2 전극을 포함한다. 또한, 포밍방법은 기판 상에 위치한 제1 전극, 제1 전극 상에 위치한 이온을 함유하는 고체전해질 저항 변화막 및 고체전해질 저항 변화막 상에 위치하며, 제1 전극과 이온에 대한 화학적 친화력이 다른 제2 전극 구비하는 저항 변화 메모리 소자를 제공하는 단계 및 저항 변화 메모리 소자를 화학적 포밍하여 이온 결함 필라멘트를 형성하는 단계를 포함한다. 화학적 포밍, 저항 변화 메모리 소자, 고체전해질 저항 변화막