반응성 금속막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 동작방법을 제공한다. 상기 메모리 소자는 제1 전극 및 제2 전극을 구비한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 산화물막이 위치한다. 상기 산화물막과 상기 제2 전극 사이에 반응성 금속막이 위치한다. 소자에 인가되는 전압에 따른 상기 산화물막과 상기 반응성 금속막 사이의 산화/환원 반응을 이용함으로써, 온/오프 저항비가 클 뿐 아니라, 내구성 및 재현성이 뛰어나고, 면적을 감소시키는 경우에도 균일한 전기적 특성을 가지며, 고온 데이터 유지 특성이 우수한 저항 변화 메모리 소자를 얻을 수 있다. 이와 더불어서, 상기 산화물막을 다결정막 또는 비정질막으로 사용하는 경우에도 단결정막 또는 에피택시에 못지 않은 소자 수율을 확보할 수 있다. 저항 변화 메모리 소자, 산화물막, 반응성 금속막