균일한 스위칭 특성을 갖는 비휘발성 저항변화 메모리 소자가 개시되어 있다. 비휘발성 저항변화 메모리 소자는 하부전극, 하부전극 상에 형성되며, 콘택홀을 갖는 절연막, 콘택홀의 측벽 상에 형성된 절연 스페이서, 절연 스페이서가 형성된 콘택홀 내에 위치하는 산화물 저항막 및 산화물 저항막 상에 형성되는 상부전극을 포함한다. 따라서, 산화물 저항막과 하부전극 사이의 접촉 면적을 미세하게 한정함으로써 국부적인 곳에서 필라멘트가 형성되므로, 낮은 전계에서도 전도성 필라멘트를 형성 시킬 수 있으며, 유효 전류 밀도를 향상시킬 수 있다. 스위칭, 비휘발성 메모리, 저항변화메모리