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플라즈마 방전 방식을 응용한 정전방전보호 발광 다이오드

구분 특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2010-02-05
취득구분 등록
기술분류 기타
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-2008-0001133
출원(등록)번호 10-2008-0001133
출원형태
발명자수 1
DOI 값
주요내용
특허 이미지

플라즈마 방전 방식을 응용한 정전 방전보호 발광 다이오드는 기판 상에 형성된 하부 클래드층, 하부 클래드층의 일부영역 상에 형성된 발광활성층, 발광활성층 상에 형성된 상부 클래드층, 상부 클래드층 상에 형성된 음극, 하부 클래드층의 다른 일부영역 상에 형성된 양극, 및 기판의 배면 상에 형성된 금속전극층을 포함하되, 금속전극층은 서로 이격되어 형성되고, 상기 음극 및 양극 각각과 전기적으로 접속되어 역바이어스가 인가되는 경우, 플라즈마 방전을 일으키는 한 쌍의 금속전극패턴들을 구비한다. 따라서, 발광 다이오드에 평행한 금속 전극을 증착하여 전기적으로 연결하면, 정전방전 현상에 대한 내구성이 향상되어 소자의 파괴를 감소시킬 수 있으며, 제조 공정이 간단하기 때문에 생산비를 절감할 수 있다. 발광 다이오드, 금속전극층, 플라즈마 방전, 정전방전

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