광결정 구조를 가지는 발광 다이오드가 개시된다. 질화갈륨을 이용한 발광 다이오드에서 기판의 상부에는 광결정 구조가 구비된다. 광결정 구조는 기판과 질화갈륨층 사이에 형성되어 p형 질화박막의 식각 공정이 없기 때문에 용이한 p형 오믹전극의 형성이 실현된다. 또한, 굴곡된 사파이어에 질화갈륨층을 성장함에 따라 수평 성장을 촉진하고 박막 내의 결함을 최소화하여 광효율의 저하를 방지할 수 있다.