발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, 질화갈륨층과, n형 하부 접촉층과, 장벽층 및 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지는 활성층과, p형 상부 접촉층과, n형 전극과, p형 전극을 포함하여 이루어지는 III-V 질화물계 발광 다이오드에 있어서 질화갈륨층 또는 n형 하부 접촉층은 광결정 구조를 가지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 광결정 구조를 질화갈륨층 또는 n형 하부 접촉층에 형성함으로써 광결정 구조를 가지면서도 p형 질화갈륨 박막이 n형으로 전환되지 않으며 오믹전극도 용이하게 형성할 수 있고 광추출 효율을 증가시킬 수 있고, 활성층이나 p형 질화갈륨 박막이 건식 식각에 의한 데미지를 입는 것을 방지할 수 있다. 발광 다이오드, 광결정 구조, 광추출 효율