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광결정 발광 다이오드 제조방법
구분
특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2007-01-31
취득구분 등록
기술분류
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-0679739
출원(등록)번호 10-2005-0061936
출원형태
발명자수 1
DOI 값
주요내용
본 발명은 광결정 발광다이오드의 발광구조물의 제조에서 제1 클래드층, 발광층, 및 제2 클래드층을 차례로 형성하고, 제2 클래드층의 상부에 알루미늄층을 증착하고, 증착된 알루미늄층의 상부에 애노다이징 방식을 이용하여 소정 주기로 배열되는 홀들이 구비되는 알루미나층의 패턴을 형성하며, 알루미나층의 패턴을 식각마스크로 하여 제2 클래드층을 소정 깊이로 식각하여 광결정 격자 어레이를 형성하는 단계를 구비하는 광결정 발광다이오드의 제조방법을 개시한다. 광결정, 발광구조물, 발광다이오드, 애노다이징
발명자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 류상완 | 전남대학교 물리학과 |