본 발명은 플립칩 본딩용 발광 다이오드에 관한 것으로, P타입 반도체층 상부에 CTEL(Current Transport Enhanced Layer)를 형성하여 전류 흐름을 원활하게 할 수 있고, 열처리 공정에도 접합상태를 유지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 상기 CTEL 상부에 투명 전도 산화막과 반사막을 순차적으로 적층하여, 소자 제조 공정의 열처리 및 소자 동작 중에 발생되는 열에 의해 금속막들 사이에서 야기되는 확산 현상을 제거하여, 높은 광출력을 유지할 수 있는 효과가 있다. 발광다이오드, 광출력, 반사, 투명, 산화막, 열처리