멀티레벨 멤리스터의 제조 방법이 제공된다. 상기 멀티레벨 멤리스터의 제조 방법은, 제1 전극을 준비하는 단계, 상기 제1 전극 상에, 펄스드 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD)을 통해 셀렌화안티몬(Sb 2 Se 3 )을 포함하는 저항 변화층을 형성하는 단계, 및 상기 저항 변화층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 저항 변화층을 형성하는 단계에서, 상기 저항 변화층의 형성을 위한 공정 압력이 제어됨에 따라 상기 저항 변화층의 특성이 제어되는 것을 포함하는 멀티레벨 멤리스터의 제조 방법.