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질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
구분
특허/실용/디자인/상표
특허등록일자 2006-06-19
취득구분 등록
기술분류
지식재산유형 국내출원
등록번호(특허) 10-0593543
출원(등록)번호 10-2003-0067968
출원형태
발명자수 1
DOI 값
주요내용
본 발명은 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, p-질화물 반도체층에, 금속 산화물 생성용 금속과 전류 확산용 금속 각각이 적어도 1종 이상 혼합된 금속군(金屬郡)을 증착하여 투명전극을 형성함으로써, 투명전극 증착시, 금속 산화물을 좀 더 용이하게 형성하고, 또한 금속 산화물이 과도하게 발생되는 것을 억제하여 발광층으로의 전류 확산이 용이하게 이루어질 수 있도록 하여, 소자의 구동전압을 낮춰 해당 발광 소자의 수명을 증대시킬 수 있도록 한다. 질화물, 발광, 투명, 전극, 금속, 산화물
발명자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 하준석 | 전남대학교 화학공학부 |